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SEB4-0°/SEB4-EN-0°美國(guó)GE雙晶直探頭

SEB4-0°/SEB4-EN-0°美國(guó)GE雙晶直探頭

產(chǎn)品時(shí)間:2024-08-27

訪問(wèn)量:841

廠商性質(zhì):代理商

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簡(jiǎn)要描述:
SEB4-0°/SEB4-EN-0°美國(guó)GE雙晶直探頭|貝克休斯探頭|美國(guó)GE雙晶探頭|啟航檢測(cè)科技(上海)有限公司全國(guó)* 配置USM100/USM36DAC/USM36DGS/USM36S/USM36L/USMGO+/USM88/USM87/USN60等等

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正確選擇雙晶探頭

1、探頭頻率的選擇

超聲的發(fā)射頻率在很大程度上決定了超聲波探傷的檢測(cè)能力。頻率高時(shí),波長(zhǎng)短,聲束指向性好,擴(kuò)散角較小,能量集中,因而發(fā)現(xiàn)小缺陷的能力則比較強(qiáng)、分辨力好、缺陷定位準(zhǔn)確。但高頻率超聲在材料中衰減較大,穿透能力較差,反之亦然。由于雙晶探頭適用于較薄工件的探傷,不需要較強(qiáng)的穿透力。因此可以采用較高頻率的探頭。對(duì)于鍛件,板材,棒材等晶粒細(xì)小的工件,可以采用5MHz的雙晶探頭(若被檢工件表面較粗糙,高頻超聲散射較大,不易射入,則容易出現(xiàn)林狀回波)。對(duì)于晶粒粗大,超聲散射嚴(yán)重的材料,如奧斯體不銹鋼和鑄造件等,頻率高時(shí),也會(huì)出現(xiàn)晶界引起的林狀回波,致使無(wú)法探傷,對(duì)于這一類材料,建議選用1MHz—2.5MHz的低頻率雙晶探頭。

2、晶片尺寸的選擇從以上介紹的雙晶探頭的工作原理來(lái)看,雙晶探頭探傷主要取決于雙晶探頭的聲能集中區(qū),跟晶片的大小沒(méi)有直接的關(guān)系。雙晶探頭的晶片大小,只與工件探測(cè)面積的大小有關(guān),當(dāng)檢測(cè)面積大時(shí),為了提高探傷效率,宜采用晶片尺寸較大的探頭。當(dāng)檢測(cè)面積較小,或者檢測(cè)面帶有一定曲率的情況下,為了減少耦合損失宜用晶片尺寸小的探頭。

3、焦距的選擇雙晶探頭的兩個(gè)晶片都有一定的傾斜角度。發(fā)射聲束與接收聲束必然會(huì)產(chǎn)生相交,形成棱形的區(qū)域,此區(qū)域即為探傷區(qū)域。菱形區(qū)愈長(zhǎng),焦距愈大,探測(cè)深度愈深,適合厚工件的探傷檢驗(yàn),菱形區(qū)愈短,焦距愈小,探測(cè)深度愈淺,適合薄工件的探傷。處于棱形區(qū)的缺陷,其反射信號(hào)強(qiáng),同時(shí)對(duì)于同樣大小的缺陷,位于棱形區(qū)中心時(shí),反射信號(hào)。因此在實(shí)際探傷過(guò)程中,要根據(jù)被檢工件的厚度選取適當(dāng)?shù)慕咕?。焦距越小,則對(duì)薄工件的探傷越有利。一般來(lái)說(shuō),選擇雙晶探頭的焦距小于被檢工件厚度5—10mm左右。雙晶探頭的探傷靈敏度先隨缺陷的深度增加而增高,到達(dá)最大值后又隨深度增加而下降田,這種探傷靈敏度的變化是雙晶探頭的特點(diǎn)。

雙晶直探頭板材檢測(cè)

1、探頭的選擇

板厚≤60mm厚的鋼板可選用雙晶直探頭,探傷的目的就是掃查出缺陷在整個(gè)厚度范圍內(nèi)的位置以及在板面上的分布,根據(jù)缺陷大小,依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)判定其合格與否。由于鋼板缺陷的富集區(qū)一般在鋼板中心部位,其次是板厚的1/4和3/4處,所以探頭的選擇和靈敏度的調(diào)整,必須考慮鋼板中心部位應(yīng)有較高的檢出能力,且其他部位不漏檢。例如檢測(cè)20mm規(guī)格鋼板,缺陷在10mm處易出現(xiàn),選擇焦距F10探頭,以20mm大平底調(diào)整靈敏度,既能保證10mm位置處較高的檢測(cè)靈敏度,又能保證3和20mm位置有基本相同的靈敏度;同樣對(duì)于10mm鋼板,選擇焦距F5探頭,以10mm大平底調(diào)整靈敏度,保證了5mm位置處較高的檢測(cè)能力,又能保證3和10mm位置的靈敏度基本相同,所以,為保證鋼板檢測(cè)質(zhì)量,理想的雙晶探頭焦距應(yīng)等于鋼板厚度的一半。

2、掃查方式

NB/T47013-2015規(guī)定的掃查方式見(jiàn)下圖

 

1)鋼板邊緣或坡口預(yù)定線兩側(cè)(50、75、100)100%掃查; 2)中心部分間距不大于50mm平行線或間距不大于100mm的格子線掃查。

3)雙晶直探頭掃查時(shí),探頭的移動(dòng)方向應(yīng)與探頭隔聲層相垂直。

3、缺陷性質(zhì)估計(jì)

分層:缺陷波形陡直,底波明顯下降或消失;

折疊:不一定有缺陷波,但底波明顯下降,次數(shù)減少甚至消失,始波加寬;

白點(diǎn):波形密集尖銳活躍,底波明顯下降,次數(shù)減少,重復(fù)性差,移動(dòng)探頭,回波此起彼伏。

系列

型號(hào)

頻率

(MHz)

焦距

(mm)

單晶片尺寸

(mm)

外觀尺寸

帶寬

接口類型

接口方向

SEB

SEB 1

1

20

Φ21半圓

類型15

40

雙聯(lián)

Lemo 00

側(cè)裝

SEB 1-EN

1

20

SEB 2

2

15

7x18

SEB 2-EN

2

15

SEB 2-0°

2

30

SEB 2-EN-0°

2

30

SEB 4

4

12

6x20

SEB 4-EN

4

12

SEB 4-0°

4

25

SEB 4-EN-0°

4

25

MSEB

MSEB 2

2

8

Φ11半圓

類型16

40

MSEB 2-EN

2

8

MSEB 4

4

10

3.5x10

MSEB 4-EN

4

10

MSEB 4-EN-0°

4

18

MSEB 4-0°

4

18

MSEB 5

5

10

Φ9半圓

SEB KF

SEB 2 KF 5

2

6

Φ8半圓

類型17

30-60

Microdot

 X2

SEB 4 KF 8

4

6

SEB 4 KF 8-EN

4

6

SEB 5 KF 3

5

3

SEB 10 KF 3

10

3

Φ5半圓

類型18

SEB 10 KF 3-EN



特性

獨(dú)立的聲波發(fā)射和接收單元

縱波垂直傳輸

小焦距探頭具有非常好的近場(chǎng)分辨率

使用耐磨的塑料延遲塊,即使在粗糙或彎曲的表面也能很好耦合性

延遲塊由一個(gè)金屬環(huán)保護(hù)以防磨損

在焦點(diǎn)內(nèi)特別適合剩余壁厚的測(cè)量

加上特殊的延遲塊(定制產(chǎn)品)能夠在高溫表面測(cè)量

應(yīng)用

近表面的小缺陷探測(cè)和評(píng)估

焦點(diǎn)內(nèi)大缺陷以及平行于表面分布的缺陷檢測(cè)

腐蝕、銹蝕剩余壁厚的測(cè)量(包括高溫情況下測(cè)量)

粘結(jié)檢測(cè)

螺釘,螺栓,銷釘

覆層和堆焊層

軸,桿,方坯芯檢測(cè)

粗晶材料

火車(chē)車(chē)輪

一個(gè)探頭殼體內(nèi)裝有兩個(gè)晶片的探頭我們稱之為雙晶探頭,又稱分割式探頭。由兩個(gè)縱波晶片組合成的雙晶探頭稱為縱波雙晶探頭,又稱雙晶直探頭;由兩個(gè)橫波晶片組成的雙晶探頭稱為橫波雙晶探頭,又稱雙晶斜探頭。

這兩種雙晶探頭中,雙晶直探頭的應(yīng)用較為廣泛。雙晶直探頭的兩個(gè)縱波晶片一個(gè)用于發(fā)射超聲,一個(gè)用于接收超聲。發(fā)射壓電晶片大都采用發(fā)射性能好的鋯鈦酸鉛,接收壓電晶片大都采用接收性能好的硫酸鋰。(見(jiàn)下圖)

區(qū)別于單晶探頭而言,雙晶探頭的發(fā)射靈敏度和接收靈敏度都更高。雙晶探頭的兩個(gè)晶片之間有一片吸聲性強(qiáng)、絕緣性好的隔聲層,它不僅用于克服發(fā)射聲束與反射聲束的相互干擾和阻塞,而且能使脈沖變窄、分辨率提高、消除發(fā)射晶片和延遲塊之間的反射雜波進(jìn)入接收晶片,有效減少雜波。

由于雙晶探頭的發(fā)射部分和接收部分都帶有延遲塊,能使探傷盲區(qū)大幅減小,故雙晶探頭對(duì)表面缺陷的探傷十分有利。



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